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SPB160N04S2L-03中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SPB160N04S2L-03
廠商型號

SPB160N04S2L-03

功能描述

OptiMOS Power-Transistor

絲印標識

P2N04L03

封裝外殼

P-TO263-7-3

文件大小

297.21 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

Infineon

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-6 10:05:00

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SPB160N04S2L-03規(guī)格書詳情

Feature

? N-Channel

? Enhancement mode

? Logic Level

? High Current Rating

? Low On-Resistance RDS(on)

? 175°C operating temperature

? Avalanche rated

? dv/dt rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SPB160N04S2L-03

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 40V MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON/英飛凌
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