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SP1255PUTG

低電容ESD保護; ? ESD，IEC61000-4-2，±30kV（觸點），±30kV（空氣）\n? EFT，IEC61000-4-4，80A（tP=5/50ns）\n? 雷擊，IEC61000-4-5，100A（tP=8/20μs）\n? 保護VBUS工作電壓最高為12V\n? 基準設定保護\n? 針對快速充電的高電流處理能力\n? 用于USB數(shù)據(jù)引腳（D+、D-、ID）\n? ESD，IEC61000-4-2，±12kV（觸點），±15kV（空氣）\n? EFT，IEC61000-4-4，40A（tP=5/50ns）\n? 雷擊，IEC61000-4-5，4A（tP=8/20μs）\n? 0.5pF電容\n? 低箝位電壓和動態(tài)電阻（0.3Ω）\n;

SP1255P集成了3通道超低電容控向二極管和一個低壓TVS二級管，可按IEC61000-4-2標準對USB數(shù)據(jù)和ID針腳提供最大的防靜電保護。 附加的12V TVS二極管可為USB VBUS引腳提供IEC61000-4-5標準規(guī)定的高達100A (tP=8/20μs)的雷擊電涌保護。 SP1255P可為當前的高強度應用，如快速充電設備，提供出色的保護。\n SP1255P采用緊湊的2.0x1.8mm μDFN封裝技術，其典型高度為0.55mm，是智能手機、平板電腦和其他便攜式電子產(chǎn)品的理想解決方案。\n

SP1255PUTG

SP1255P Series 0.5pF, 12kV Diode Array for μUSB

Description TheSP1255Pintegratesthreechannelsofultra-low capacitancesteeringdiodesandalowvoltageTVSdiodeto providemaximumprotectionoftheUSBdataandIDpins againstESDpertheIEC61000-4-2standard.Anadditional 12VTVSdiodeisincludedtoprovidelightningsurge prot

SP1255PUTG

Package：6-UFDFN 裸露焊盤；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：電路保護 TVS - 二極管 描述：TVS DIODE 4VWM 8.5VC 6UDFN

Littelfuse Inc.

STBAVI1255K

basicanaloginputkitSTB-0..10V-2I-10bits

STBAVO1255K

basicanalogoutputkitSTB-0..10V-2O-10bits

STU1255PL

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.

STYN1255

ThyristorDiscretes(SCRs)

SX1255

LoRaGatewayBasebandProcessor

KeyFeatures ?Finetimestamp ?LoRaWAN,ClassA/B/C,allregions ?Multi-SF125kHzLoRa?receptionwithFineTimestamp ?High-speed250/500kHzLoRademodulator ?(G)FSKdemodulator ?DirectinterfacetoSemtechtransceivers ?SX1255,SX1257andSX1250 ?Single32MHzclock

SX1255

LowPowerDigitalIandQRFMulti-PHYModeTransceiver

SX1255IWLTRT

LowPowerDigitalIandQRFMulti-PHYModeTransceiver