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SN75372PSR集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料

SN75372PSR
廠商型號(hào)

SN75372PSR

參數(shù)屬性

SN75372PSR 封裝/外殼為8-SOIC(0.209",5.30mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SO

功能描述

DUAL MOSFET DRIVER
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SO

絲印標(biāo)識(shí)

A372

封裝外殼

SO / 8-SOIC(0.209",5.30mm 寬)

文件大小

624.28 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

21 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

TI2

中文名稱

德州儀器

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-8 23:00:00

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SN75372PSR規(guī)格書詳情

SN75372PSR屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由美國(guó)德州儀器公司制造生產(chǎn)的SN75372PSR柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來(lái)自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過(guò)的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

Dual Circuits Capable of Driving

High-Capacitance Loads at High Speeds

Output Supply Voltage Range up to 24 V

Low Standby Power Dissipation

description

The SN75372 is a dual NAND gate interface

circuit designed to drive power MOSFETs from

TTL inputs. It provides high current and voltage

levels necessary to drive large capacitive loads at

high speeds. The device operates from a VCC1 of

5 V and a VCC2 of up to 24 V.

The SN75372 is characterized for operation from

0°C to 70°C.

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    SN75372PSR

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    低端

  • 通道類型:

    同步

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.75V ~ 5.25V,4.75V ~ 24V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,2V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    500mA,500mA

  • 輸入類型:

    反相

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.209",5.30mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SO

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SO

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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