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SN74ALVC10DR集成電路(IC)的門(mén)反相器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

SN74ALVC10DR
廠商型號(hào)

SN74ALVC10DR

參數(shù)屬性

SN74ALVC10DR 封裝/外殼為14-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的門(mén)反相器;產(chǎn)品描述:IC GATE NAND 3CH 3-INP 14SOIC

功能描述

TRIPLE 3-INPUT POSITIVE-NAND GATE
IC GATE NAND 3CH 3-INP 14SOIC

絲印標(biāo)識(shí)

ALVC10

封裝外殼

SOIC / 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

591.53 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

18 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

TI2

中文名稱

德州儀器

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-7 17:21:00

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SN74ALVC10DR規(guī)格書(shū)詳情

SN74ALVC10DR屬于集成電路(IC)的門(mén)反相器。由美國(guó)德州儀器公司制造生產(chǎn)的SN74ALVC10DR門(mén)和反相器邏輯柵極和逆變器系列中的產(chǎn)品對(duì)單個(gè)邏輯信號(hào)執(zhí)行基本邏輯運(yùn)算(例如 AND、NOT、OR 等)。與觸發(fā)器不同,它們不能夠存儲(chǔ)信息,不會(huì)對(duì)提供給其輸入的信號(hào)立即做出響應(yīng)。雖然早就被集成電路實(shí)施形式所取代,以用于實(shí)現(xiàn)復(fù)雜功能,但分立柵極仍可在僅需要非常簡(jiǎn)單邏輯功能的情況下使用。

FEATURES

· Operates From 1.65 V to 3.6 V

· Max tpd of 3 ns at 3.3 V

· ±24-mA Output Drive at 3.3 V

· Latch-Up Performance Exceeds 250 mA Per

JESD 17

· ESD Protection Exceeds JESD 22

– 2000-V Human-Body Model (A114-A)

– 200-V Machine Model (A115-A)

– 1000-V Charged-Device Model (C101)

DESCRIPTION/ORDERING INFORMATION

This triple 3-input positive-NAND gate is designed for 1.65-V to 3.6-V VCC operation.

The SN74ALVC10 performs the Boolean function Y = A · B · C or Y = A + B + C in positive logic.

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    SN74ALVC10DR

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 門(mén)和反相器

  • 系列:

    74ALVC

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 邏輯類型:

    與非門(mén)

  • 輸入數(shù):

    3

  • 電壓 - 供電:

    1.65V ~ 3.6V

  • 電流 - 輸出高、低:

    24mA,24mA

  • 邏輯電平 - 低:

    0.7V ~ 0.8V

  • 邏輯電平 - 高:

    1.7V ~ 2V

  • 不同 V、最大 CL 時(shí)最大傳播延遲:

    3ns @ 3.3V,50pF

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    14-SOIC

  • 封裝/外殼:

    14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 描述:

    IC GATE NAND 3CH 3-INP 14SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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