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SN65C1168E-SEP

SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With ±12-kV ESD Protection

1Features ?VIDV62/19606 ?Radiationhardened –Singleeventlatch-up(SEL)immuneto43 MeV-cm2/mgat125°C –ELDRS-freeto30krad(Si) –Totalionizingdose(TID)RLATforeverywafer lotupto20krad(Si) ?SpaceEnhancedPlastic –Controlledbaseline –Goldwire –NiPdAuleadfini

SN65C1168E-SEP

采用增強(qiáng)型航天塑料封裝的抗輻射加固保障 RS-422 雙路差分驅(qū)動(dòng)器和接收器; ? VID V62/19606\n? 耐輻射 \n? 單粒子鎖定 (SEL) 在 125°C 下的抗擾度可達(dá) 43MeV-cm2/mg\n? 在 30krad(Si) 的條件下無 ELDRS\n? 每個(gè)晶圓批次的 RLAT 總電離劑量 (TID) 高達(dá) 20krad(Si)\n \n? 增強(qiáng)型航天塑料 \n? 受控基線\n? 金線\n? NiPdAu 鉛涂層\n? 一個(gè)組裝和測試基地\n? 一個(gè)制造基地\n? 支持軍用（–55°C 至 125°C）溫度范圍\n? 延長了產(chǎn)品生命周期\n? 延長了產(chǎn)品變更通知\n? 產(chǎn)品可追溯性\n? 采用增強(qiáng)型模塑化合物實(shí)現(xiàn)低釋氣\n \n? 達(dá)到或超出 TIA/EIA-422-B 和 ITU Recommendation V.11 標(biāo)準(zhǔn)的要求\n? 由一個(gè) 5V 電源供電\n? 為 RS-422 總線引腳提供 ESD 保護(hù) \n? ±12kV 人體放電模型 (HBM)\n? ±8kV IEC 61000-4-2，接觸放電\n? ±8kV IEC 61000-4-2，空氣間隙放電\n \n? 低脈沖偏斜\n? 接收器輸入阻抗 ... 17k?（典型值）\n? 接收器輸入靈敏度 ...±200mV\n? -7V 至 7V 的接收器共模輸入電壓范圍\n? 無干擾上電/斷電保護(hù);

SN65C1168E-SEP 包含雙驅(qū)動(dòng)器和雙接收器，具有 ±12kV ESD (HBM) 和 ±8kV ESD（IEC61000-4-2 空氣間隙放電和接觸放電），適用于 RS-422 總線引腳。此器件符合 TIA/EIA-422-B 和 ITU Recommendation V.11 標(biāo)準(zhǔn)的要求。經(jīng)過 20krad(Si) TID 接觸之后，有些參數(shù)不符合所有的 TIA/EIA-422-B 和 ITU Recommendation V.11 要求。\n\nSN65C1168E-SEP 驅(qū)動(dòng)器具有單獨(dú)的高電平有效使能端。

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SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With ?12-kV ESD Protection

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DUALDIFFERENTIALDRIVERSANDRECEIVERS

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1FEATURES ?MeetorExceedStandardsTIA/EIA-422-Band ITURecommendationV.11 ?BiCMOSProcessTechnology ?LowSupply-CurrentRequirements:9mAMax ?LowPulseSkew ?ReceiverInputImpedance...17kΩTyp ?ReceiverInputSensitivity...±200mV ?ReceiverCommon-ModeInputVoltage