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TFDT6501E

FastInfraredTransceiverModuleFamily(FIR,4Mbit/s)for2.6Vto5.5VOperation

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

THN6501

NPNSiGeRFTRANSISTOR

□Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange

TACHYONICS

Tachyonics CO,. LTD

THN6501E

NPNSiGeRFTRANSISTOR

□Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange

TACHYONICS

Tachyonics CO,. LTD

THN6501E

SiGeNPNTransistor

□Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzatVCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange

AUK

AUK corp

THN6501F

SiGeNPNTransistor

□Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighGain MAG=11.5dBatf=1GHz,VCE=10V,IC=20mA oHighTransitionFrequency fT=7GHzatf=1GHz,VCE=10V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange

AUK

AUK corp

THN6501S

NPNSiGeRFTRANSISTOR

□Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange

TACHYONICS

Tachyonics CO,. LTD

THN6501S

SiGeNPNTransistor

□Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzatVCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange

AUK

AUK corp

THN6501U

SiGeNPNTransistor

□Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzatVCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange

AUK

AUK corp

THN6501U

NPNSiGeRFTRANSISTOR

□Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange

TACHYONICS

Tachyonics CO,. LTD

THN6501Z

NPNSiGeRFTRANSISTOR

□Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange

TACHYONICS

Tachyonics CO,. LTD

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    SN6501DBVR

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 類別：

    集成電路（IC） > 電源管理 - 專用

  • 包裝：

    托盤

  • 應(yīng)用：

    變壓器驅(qū)動器

  • 電流 - 供電：

    300μA

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-74A，SOT-753

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-5

  • 描述：

    IC REG CONV PWR SUPPLIES SOT23-5

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TI
21+
SOT-23-5
3000
SN6501 適用于隔離式電源的低噪聲 350mA、410kHz 變壓器驅(qū)動器
 詢價
TI
24+/25+
SOT-23-5
9000
100%原裝正品真實庫存,支持實單
 詢價
TI
17+
SOT23-5
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
TI/德州儀器
24+
SOT-23
207450
原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗歡迎詢價
 詢價
TI
23+
SOT-23-5
8000
TI優(yōu)勢物料,歡迎詢價
 詢價
TI/德州儀器
23+
SOT23-5
12000
原裝正品假一賠十
 詢價
TI(德州儀器)
23+
SOT-23-5
13650
公司只做原裝正品,假一賠十
 詢價
TI/德州儀器
25+
SOT23-5
39906
TI/德州儀器全新特價SN6501DBVR即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
 詢價
TI
2016+
SOT23-5
26689
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價
TI
17+
SOT23-5
6000
保證原裝正品!優(yōu)勢渠道供應(yīng)
 詢價
更多SN6501DBVR供應(yīng)商 更新時間2025-7-21 9:36:00

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