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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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NotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplications

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TPCP8002

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconN-ChannelMOSType(U-MOSIV)

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Lead(Pb)-Free ?Smallfootprintduetosmallandthinpackage ?Lowdrain-sourceON-resistance :RDS(ON)=7m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance :|Yfs|=36S(typ.) ?Lowleakagecurrent :IDSS=10μA(VDS=

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U8002A

SingleOutputDCPowerSupplies

KEYSIGHTKeysight Technologies

是德科技是德科技(中國(guó))有限公司

UPC8002

SECONDMIXERIFAMPLIFIERFORDIGITALCORDLESSTELEPHONES

[NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

UPC8002

BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES ?Low-voltage,low-consumption-currentoperationpossible(VCC=2.7to5.5V,ICC=3.4mAatVCC=3V) ?Widemixerinputfrequencyrange(fMIX=250MHz(TYP.)to500MHz(MAX.)) ?WideIFamplifierinputfrequencyrange(fIF=8MHz(MIN.)to12MHz(MAX.),10.7MHz(TYP.)) ?Hig

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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