SMBTA06分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
SMBTA06 |
參數(shù)屬性 | SMBTA06 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 80V 0.5A SOT23 |
功能描述 | NPN Silicon AF Transistor |
封裝外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
125.56 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
中文名稱 | 英飛凌 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-6 17:15:00 |
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SMBTA06規(guī)格書詳情
SMBTA06屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的SMBTA06晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
NPN Silicon AF Transistor
? Low collector-emitter saturation voltage
? Complementary type:
SMBTA 56 / MMBTA56 (PNP)
? Pb-free (RoHS compliant) package1)
? Qualified according AEC Q101
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
SMBTA06E6433HTMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
250mV @ 10mA,100mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 100mA,1V
- 頻率 - 躍遷:
100MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-SOT23
- 描述:
TRANS NPN 80V 0.5A SOT23
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
SOT23 |
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