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SMBT3906DW1T1G

Dual General Purpose Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

LMBT3906DW1T1

DualBiasResistorTransistor

DualBiasResistorTransistor TheLMBT3906DW1T1deviceisaspin–offofourpopularSOT–23/SOT–323three–leadeddevice.ItisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandishousedintheSOT–363six–leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwodiscretedevicesinonepackage,thisdevi

LRCLeshan Radio Company

樂山無線電樂山無線電股份有限公司

LMBT3906DW1T1G

DualBiasResistorTransistor

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LRCLeshan Radio Company

樂山無線電樂山無線電股份有限公司

MBT3906DW1T1

DualGeneralPurposeTransistors

ETLE-Tech Electronics LTD

亞歷電子亞歷電子有限公司

MBT3906DW1T1

DualGeneralPurposeTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MBT3906DW1T1

DualGeneralPurposeTransistors

DualGeneralPurposeTransistors TheMBT3904DW1T1,MBT3906DW1T1,andMBT3946DW1T1devicesarespin–offsofourpopularSOT–23/SOT–323three–leadeddevices.TheyaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandarehousedintheSOT–363six–leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwod

LRCLeshan Radio Company

樂山無線電樂山無線電股份有限公司

MBT3906DW1T1G

DualGeneralPurposeTransistor

ONSEMION Semiconductor

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MMBT3906DW1T1

DualBiasResistorTransistor

WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP

威倫威倫電子股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SMBT3906DW1T1G

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR PNP 40V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
24+
SOT-363-6(SC-70-6)
3022
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
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ONSEMI/安森美
25+
SOT363
32360
ONSEMI/安森美全新特價SMBT3906DW1T1G即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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ON
24+
SOT363
9000
只做原裝 假一賠十
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24+
SOT363
51000
原廠授權(quán)代理 價格絕對優(yōu)勢
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ON/安森美
20+
SOT-363
120000
原裝正品 可含稅交易
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ON/安森美
21+
SOT363
20000
只做正品原裝現(xiàn)貨
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只做原裝正品
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SOT-363
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ON/安森美
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SOT363
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多SMBT3906DW1T1G供應(yīng)商 更新時間2025-7-23 23:00:00

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