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SMAJ6.5C	文件：3.90527 Mbytes Page：56 Pages	SurfaceMountTransientVoltageSuppressors(TVS)	SOCAYSocay Electornics Co., Ltd. 碩凱電子碩凱電子股份有限公司	SOCAY
SMAJ6.5C	文件：191.87 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressorDiodes	FS First Silicon Co., Ltd	FS
SMAJ6.5C	文件：2.63765 Mbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressors	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
SMAJ6.5C	文件：735.55 Kbytes Page：7 Pages	SurfaceMountTransientVoltageSuppressors(TVS) Description TheSMAJseriesisdesignedspecificallytoprotectsensitiveelectronicequipmentfromvoltagetransientsinducedbylightningandothertransientvoltageevents. Features ?Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace ?Lowleakage ?UniandBidirectionalun	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司	UNSEMI
SMAJ6.5C	文件：298.7 Kbytes Page：5 Pages	5.0to440Volts400WattsSMDTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORS	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
SMAJ6.5C	文件：348.3 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountTransientVoltageSuppressors	ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技林朋科技股份有限公司	ANOVA
SMAJ6.5C	文件：341.22 Kbytes Page：8 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR400WATTPEAKPOWER DESCRIPTION TheSMAJseriessupportbothUniandBi-direction. FEATURES ?AvailableinSMAPackage	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
SMAJ6.5C	文件：341.22 Kbytes Page：8 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR400WATTPEAKPOWER DESCRIPTION TheSMAJseriessupportbothUniandBi-direction. FEATURES ?AvailableinSMAPackage	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
SMAJ6.5C	文件：2.51019 Mbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressors Features Glasspassivatedchip 400Wpeakpulsepowercapabilitywitha 10/1000uswaveform,repetitiverate(duty cycle):0.01 Lowleakage UniandBidirectionalunit Excellentclampingcapability Veryfastresponsetime RoHScompliant	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
SMAJ6.5C	文件：3.95758 Mbytes Page：8 Pages	3.3To440V400WSurfaceMountTransientVoltageSuppressors(TVS) Features Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace Lowleakage UniandBidirectionalunit Glasspassivatedjunction Lowinductance Excellentclampingcapability TypicalIRlessthan1μAabove10V 400WPeakpowercapabilityat10×1000μswaveformRepetition rate(d	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司	UNSEMI

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