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STN8205D	文件：361.32 Kbytes Page：6 Pages	DualNChannelEnhancementModeMOSFET	STANSON Stanson Technology	STANSON
STS8205	文件：596.12 Kbytes Page：7 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SurfaceMountPackage.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS8205	文件：443.15 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelMOSFET FEATURES ?Halogen-freeOptionAvailable ?TrenchFET?PowerMOSFETs ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
STS8205A	文件：443 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelMOSFET FEATURES ?Halogen-freeOptionAvailable ?TrenchFET?PowerMOSFETs ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
STS8205E	文件：442.84 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelMOSFET FEATURES ?Halogen-freeOptionAvailable ?TrenchFET?PowerMOSFETs ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
STT8205S	文件：1.06723 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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STT8205S	文件：698.52 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SURA8205	文件：56.22 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers Ideallysuitedforhighvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandprotectiondiodesinsurfacemountapplicationswherecompactsizeandweightarecriticaltothesystem. Features ?SmallCompactSurfaceMountablePackagewithJ?BendLeads ?RectangularPackageforAutomat	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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