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SM746

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeatureslowfeedbackandoutputcapacitances,re

SM746

VDMOS SHORTFORM S1;

SM74611

0.5V 至 100V 智能旁路二極管; ? 最低反向電壓 (VR)：30V\n? 正向工作電流 (IF)：高達 15A\n? 低平均正向電壓：8A 時為 26mV\n? 功耗比肖特基二極管低 \n? 泄漏電流比肖特基二極管低\n? 與傳統(tǒng)的 D2PAK 肖特基二極管封裝和引腳兼容\n? 工作溫度范圍 (Tj)：-40°C 至 125°C;

SM74611 是一款面向光伏應(yīng)用的智能旁路二極管。 該二極管可為正常工作期間被遮蔽的部分光伏板提供另外一條線串電流路徑。 如果沒有旁路二極管，被遮蔽單元會因反向偏置單元功耗過大而呈現(xiàn)為過熱點。 目前采用傳統(tǒng)的 P-N 結(jié)二極管或肖特基二極管來緩解這一問題。 遺憾的是，此類二極管的正向電壓仍偏高（普通二極管約為 0.6V，而肖特基二極管為 0.4V）。 當(dāng)流過二極管的電流為 10A 時，功耗會高達 6W。這會導(dǎo)致二極管所在接線盒的內(nèi)部溫度升高并降低模塊可靠性。 SM74611 的優(yōu)勢在于，正向壓降比 P-N 結(jié)二極管和肖特基二極管低。 該二極管在 8A 電流下的平均正向壓降典型值為 26mV。 此時的功耗典型值為 208mW，明顯低于傳統(tǒng)肖特基二極管的功耗典型值 3.2W。 此外，SM74611 還與傳統(tǒng)的 D2PAK 肖特基二極管封裝和引腳兼容，可以直接替換許多應(yīng)用中的二極管。

SM746_14

RF POWER VDMOS TRANSISTOR

SM74601

SOT-23 Precision Micropower Series Voltage Reference

SM74601

SOT-23 Precision Micropower Series Voltage Reference;

SM74611

Smart Bypass Diode

SM74611KTTR

Smart Bypass Diode

SM74611KTTR

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 30V 15A DDPAK