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TLV2333IDR-TP	文件：3.47252 Mbytes Page：6 Pages	CMOSOperationalAmplifierZeroDrift Features ?GeneralPurpose,LowCost 'GainBandwidthProduct:350KHz oLowQuiescentCurrent:17uA/Amplifier ?0.01Hz-10HzNoise:1.5pVep ZeroDrift:0.01uV/I°C(Typ) oInputBiasCurrent:20pA ?UnityGainStable oRail-to-RailInputandOutput ?SingleorDualSupplyOp	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
ULV2333	文件：191.67 Kbytes Page：4 Pages	MICRO-POWER,ZERO-DRIFT,RAIL-TO-RAILINPUT/OUTPUTCMOSDUALOPERATIONALAMPLIFIERS ?DESCRIPTION TheUTCULV2333CMOSdualoperationalamplifiersprovide verylowoffsetvoltageandzero-driftovertimeandtemperature. Theminiature,highprecision,lowquiescentcurrentamplifiers offerhigh-impedanceinputsthathaveawideinputcommonmode rangeof100mVbeyondtherai	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
VBA2333	文件：537.6 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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WST2333	文件：527.31 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel12-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?BuiltinESDProtectionwithZenerDiode ?TypicalESDPerformance:1800V ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PortableDevices -LoadSwitch -BatterySwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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