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SKPT26B10

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SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新電元工業(yè)株式會社

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FEATURES ·DrainCurrent–ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=30mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

P26B10SN

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=28mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新電元工業(yè)株式會社

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PulsetransformersdesignedforSemikron

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更多SKPT26B10供應(yīng)商 更新時間2025-7-19 11:10:00