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SIS436DN-T1-GE3中文資料微碧半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
產(chǎn)品屬性
- 型號：
SIS436DN-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 25V 16A 27.7W 10.5mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIS436DN-T1-GE3 |
8823 |
8823 |
詢價 | ||||
VISHAY/威世 |
24+ |
PowerPAK1212-8 |
33877 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存假一賠十歡迎詢價 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
DFN3.3X3.3 |
39746 |
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詢價 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
QFN |
30000 |
原裝現(xiàn)貨,假一賠十. |
詢價 | ||
VISHAY(威世) |
2447 |
PowerPAK 1212-8 |
105000 |
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詢價 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
QFN |
50000 |
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詢價 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
DFN3*3 |
880000 |
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Vishay(威世) |
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VISHAY/威世 |
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