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SIS413DN-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET -30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III柒號(hào)芯城

SIS413DN-T1-GE3

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

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  • 廠家型號(hào)：

    SIS413DN-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY

  • 庫存數(shù)量：

    70000

  • 產(chǎn)品封裝：

    N/A

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2024+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-29 16:16:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：SIS413DN-T1-GE3品牌：VISHAY

柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)

  • 芯片型號(hào)：

    SIS413DN-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    13 頁

  • 文件大?。?/span>

    547.03 kb

  • 資料說明：

    P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SIS413DN-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET -30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 晶體管極性：

    P-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    30 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    +/- 20 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    18 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    9.4 mOhms

  • 配置：

    Single

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerPAK 1212-8

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    連小若

  • 手機(jī)：

    18922805453

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83663056

  • 傳真：

    0755-83209937

  • 地址：

    福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場D座23樓

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