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SIS412DN-T1-GE3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
產(chǎn)品屬性
- 型號:
SIS412DN-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 30V 12A 15.6W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
QFN |
15620 |
VISHAY/威世全新特價SIS412DN-T1-GE3即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
詢價 | ||
VISHAY |
2016+ |
QFN8 |
9000 |
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詢價 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
PowerPAK1212-8 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
POWERPAK1212-8 |
54648 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實單必成 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
2511 |
DFN3.3*3.3 |
360000 |
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VIshay |
1323+ |
QFN8 |
4128 |
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詢價 | ||
VISHAY(威世) |
2024+ |
NA |
500000 |
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詢價 | ||
VISHAY |
2447+ |
QFN8 |
9657 |
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VISHAY |
23+ |
QFN-8 |
30000 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
POWERPA |
3800 |
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詢價 |