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SIR862DP-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SIR862DP-T1-GE3
廠商型號(hào)

SIR862DP-T1-GE3

功能描述

N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

文件大小

114.94 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
VISHAY
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-2 23:00:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SIR862DP-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 25V 8-SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    TrenchFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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