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SIR812DP-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
SIR812DP-T1-GE3 |
功能描述 | N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
文件大小 |
160.14 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
企業(yè)簡稱 |
VISHAY【威世科技】 |
中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-7-16 14:18:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
SIR812DP-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
22+ |
QFN-8 |
25000 |
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詢價(jià) | ||
VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
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詢價(jià) | ||
VISHAY |
24+ |
PAKSO-8 |
80000 |
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詢價(jià) | ||
VISHAY |
20+ |
DFN-8 |
3675 |
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詢價(jià) | ||
Vishay(威世) |
22+ |
NA |
6500 |
原廠原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Vishay(威世) |
2511 |
N/A |
11800 |
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詢價(jià) | ||
VISHAY |
23+ |
QFN |
12800 |
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詢價(jià) | ||
VISHAY |
21+ |
QFN |
278 |
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詢價(jià) | ||
Vishay(威世) |
2021/2022+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
6500 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價(jià) | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN5060 |
986966 |
國產(chǎn) |
詢價(jià) |