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SIR804DP-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 100V 7.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET硅宇電子

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

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  • 廠家型號(hào)：

    SIR804DP-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    Vishay(威世)

  • 庫存數(shù)量：

    60370

  • 產(chǎn)品封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2249+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-28 13:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：SIR804DP-T1-GE3品牌：Vishay(威世)

二十余載金牌老企 研究所優(yōu)秀合供單位 您的原廠窗口

  • 芯片型號(hào)：

    SIR804DP-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    13 頁

  • 文件大小：

    371.19 kb

  • 資料說明：

    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SIR804DP-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 100V 7.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市硅宇電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    吳經(jīng)理

  • 手機(jī)：

    15220124454

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    15220124454

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福虹路9號(hào)世貿(mào)廣場(chǎng)A座1503室

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