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首頁(yè)>SIR662DP-T1-GE3>詳情

SIR662DP-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET歐立現(xiàn)代

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  • 廠家型號(hào)：

    SIR662DP-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    7150

  • 產(chǎn)品封裝：

    QFN8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-23 16:19:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：SIR662DP-T1-GE3品牌：VISHAY

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  • 芯片型號(hào)：

    SIR662DP-T1-GE3

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱(chēng)：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    13 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    510.11 kb

  • 資料說(shuō)明：

    N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    SIR662DP-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市歐立現(xiàn)代科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    胡先生/朱先生/林小姐

  • 手機(jī)：

    18033057686

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    0755-83222787/0755-23999932

  • 傳真：

    0755-83238256

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北賽格科技園三棟東座10樓A2室

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