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SIR462DP-T1-GE3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
SIR462DP-T1-GE3 |
| 功能描述 | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| 文件大小 |
1.14471 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
7 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | VBsemi Electronics Co.,Ltd |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-16 13:43:00 |
| 人工找貨 | SIR462DP-T1-GE3價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
相關(guān)芯片規(guī)格書(shū)
更多產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SIR462DP-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY(威世) |
24+ |
PowerPAK-SO-8 |
9908 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
36030 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) | |||
VISHAY/威世 |
23+/24+ |
QFN-8 |
9865 |
原裝正品,專業(yè)分銷中高壓MOS管 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
PowerPAK-SO-8 |
8750 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
QFN8 |
60000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Vishay(威世) |
2405+ |
PowerPAK SO-8 |
50000 |
只做原裝優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨庫(kù)存,渠道可追溯 |
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3000 |
詢價(jià) |
