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SIR404DP-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
SIR404DP-T1-GE3 |
| 功能描述 | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| 文件大小 |
511.43 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名稱 | 威世科技 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-22 11:13:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 型號：
SIR404DP-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 20V 60A 104W 1.6mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
QFN |
32360 |
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