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SIR178DP

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?GenIVpowerMOSFET ?VerylowRDSxQgfigure-of-merit(FOM) ?LeadershipRDS(ON)minimizespowerloss fromconduction ?2.5Vratingsandoperationatlowvoltage gatedrive ?100RgandUIStested ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasese

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SiR178DP

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET;

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIS178LDN

N-Channel70V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?GenIVpowerMOSFET ?VerylowRDSxQgfigure-of-merit(FOM) ?TunedforthelowestRDSxQossFOM ?100RgandUIStested ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Synchronousrectification ?Prim

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SLTS178B

14AOutputCurrent

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

SMTPB178

TRISILTM

DESCRIPTION TheSMTPBxxserieshasbeendesignedtoprotecttelecommunicationequipmentagainstlightningandtransientinducedbyACpowerlines. FEATURES BIDIRECTIONALCROWBARPROTECTION. BREAKDOWNVOLTAGERANGE:From62VTo270V. HOLDINGCURRENT:IH=150mAmin REPETITIVEPE

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    PowerPAK SO-8

  • Ch：

    N

  • VDS (V)：

    20

  • VGS (V)：

    -8

  • RDS(on)@2.5V (?)：

    0.0012

  • RDS(on)@4.5V (?)：

    0.0005

  • RDS(on)@10V (?)：

    0.0004

  • Qg @4.5V (nC)：

    95

  • Qg @10V (nC)：

    207

  • Qgs (nC)：

    26.6

  • Qgd (nC)：

    18.219

  • ID Max. (A)：

    430

  • PD Max. (W)：

    104

  • VGS(th) Min. (V)：

    0.6

  • Rg Typ. (?)：

    0.94

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY(威世)
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現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!!
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2025+
PowerPAKSO-8
986966
國產(chǎn)
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DFN5*6
360000
電子元器件采購降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價
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100000
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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2022+
PowerPAK? SO-8
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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更多SIR178DP供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 16:25:00

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