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TSTA7500	文件：139.97 Kbytes Page：5 Pages	InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,875nm,GaAlAs DESCRIPTION TSTA7500isaninfrared,875nmemittingdiodeinGaAlAs technologyinahermeticallysealedTO-18packagewithflat glasswindow. FEATURES ?Packagetype:leaded ?Packageform:TO-18 ?Dimensions(inmm):?4.7 ?Peakwavelength:λp=875nm ?Highreliability ?Highradi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
TSTA7500	文件：140.69 Kbytes Page：5 Pages	InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,875nm,GaAlAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
TSTS7500	文件：139.91 Kbytes Page：5 Pages	InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,950nm,GaAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
TSTS7500	文件：139.19 Kbytes Page：5 Pages	InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,950nm,GaAs DESCRIPTION TSTS7500isaninfrared,950nmemittingdiodeinGaAs technologyinahermeticallysealedTO-18packagewithflat glasswindow. FEATURES ?Packagetype:leaded ?Packageform:TO-18 ?Dimensions(inmm):?4.7 ?Peakwavelength:λp=950nm ?Highreliability ?Highradian	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
TSTS7500	文件：81.01 Kbytes Page：5 Pages	GaAsIREmittingDiodesinHermeticallySealedTO18Case Description TheTSTS750.seriesareinfraredemittingdiodesinstandardGaAstechnologyinahermeticallysealedTO–18package.Theirflatglasswindowsmakethemidealforusewithexternaloptics. Features ●Suitableforpulseoperation ●Wideangleofhalfintensity?=±30 ●Peakwavel	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
TSTS7500	文件：146.43 Kbytes Page：5 Pages	InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,950nm,GaAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
U7500	文件：1.93065 Mbytes Page：91 Pages	IntelCore2DuoMobileProcessorforIntelCentrinoDuoMobileProcessorTechnology	IntelIntel Corporation 英特爾	Intel
U7500	文件：1.56269 Mbytes Page：87 Pages	Core2DuoProcessorsandCore2ExtremeProcessorsforPlatformsBasedonMobile965ExpressChipsetFamily	IntelIntel Corporation 英特爾	Intel
UM7500	文件：132.43 Kbytes Page：3 Pages	PINDIODE DESCRIPTION TheUM7500seriesfeaturesMicrosemi’sinnovativepassivatedchipdesignwhichtakesadvantageofthelatestsiliconwaferbondingandjunctionpassivationtechniques.ThisnewseriesofPINdiodesincorporatesallofthedesirableRFpropertiesofpreviousMicrosemidiodesplusextre	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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