SIJH600E中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
SIJH600E |
功能描述 | N-Channel 60 V (D-S) 175 ?C MOSFETs |
文件大小 |
190.86 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | VISHAY Vishay Siliconix |
中文名稱 | 威世科技 威世科技半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-23 23:00:00 |
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SIJH600E規(guī)格書詳情
FEATURES
? TrenchFET? Gen IV power MOSFET
? Fully lead (Pb)-free device
? Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces
switching related power loss
? 50 smaller footprint than D2PAK (TO-263)
? 100 Rg and UIS tested
? Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912
APPLICATIONS
? Synchronous rectification
? OR-ing
? Motor drive control
? Battery management
? Power supply
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY(威世) |
24+ |
PowerPAK(8x8) |
7350 |
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