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SIJH600E中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SIJH600E
廠商型號(hào)

SIJH600E

功能描述

N-Channel 60 V (D-S) 175 ?C MOSFETs

文件大小

190.86 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-23 23:00:00

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SIJH600E規(guī)格書詳情

FEATURES

? TrenchFET? Gen IV power MOSFET

? Fully lead (Pb)-free device

? Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces

switching related power loss

? 50 smaller footprint than D2PAK (TO-263)

? 100 Rg and UIS tested

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Synchronous rectification

? OR-ing

? Motor drive control

? Battery management

? Power supply

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
VISHAY(威世)
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