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SIHP12N65E

E Series Power MOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Ser

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

SIHP12N65E

E Series Power MOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

SIHP12N65E

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VBSEMI

SIHP12N65E

iscN-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

SIHP12N65E_V01

E Series Power MOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SIHP12N65E

  • 功能描述：

    MOSFET 650V 392Ohm@10V 12A N-Ch E-SRS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay/Siliconix

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    700 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    20 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    12 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.392 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    TO-220AB-3

  • 封裝：

    Bulk

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VB
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TO-220
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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TO-220
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TO-220
30000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
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現(xiàn)貨很近!原廠很遠(yuǎn)!只做原裝
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100%原裝正品現(xiàn)貨
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更多SIHP12N65E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-1 10:11:00

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