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SIHG30N60E-E3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SIHG30N60E-E3
廠商型號

SIHG30N60E-E3

功能描述

E Series Power MOSFET

文件大小

176.64 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
VISHAY
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-4 16:07:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SIHG30N60E-E3

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 600V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
VISHAY
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原廠原裝正品
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