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SIHG20N50C-E3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
產(chǎn)品屬性
- 型號:
SIHG20N50C-E3
- 功能描述:
MOSFET 560V 20A 292W 270mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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VISHAY |
2018+ |
26976 |
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詢價 | |||
VISHAY(威世) |
2024+ |
TO-247AC |
500000 |
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VISHAY/威世 |
21+ |
TO-247AC |
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VISHAY/威世 |
24+ |
NC |
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VISHAY/威世 |
24+ |
TO-247 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
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VISAHY |
23+ |
TO-247 |
500 |
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詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-247 |
10482 |
SSCP認證 原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-247A |
3800 |
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VISHAY |
21+ |
TO-247 |
2000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
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