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SIHB16N50C-E3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SIHB16N50C-E3
廠商型號

SIHB16N50C-E3

功能描述

Gate Charge Improved Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件大小

155.39 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導體

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-21 23:01:00

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SIHB16N50C-E3規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low Figure-of-Merit Ron x Qg

? 100 Avalanche Tested

? Gate Charge Improved

? Trr/Qrr Improved

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SIHB16N50C-E3

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 500V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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