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SIHB11N80E

E Series Power MOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SiHB11N80E

E Series Power MOSFET; Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg\n Low input capacitance (Ciss)\n Reduced switching and conduction losses\n\n \n;

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB11N80E

絲印：D2PAK；Package：TO-263；iscN-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SIHD11N80AE

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Loweffectivecapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?IntegratedZenerdiodeESDprotection ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHG11N80AE

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Loweffectivecapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?IntegratedZenerdiodeESDprotection ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHG11N80E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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Vishay Siliconix
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更多SIHB11N80E供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 15:01:00

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