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SIGC84T120R3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
SIGC84T120R3 |
| 參數(shù)屬性 | SIGC84T120R3 包裝為管件；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 75A DIE |
| 功能描述 | IGBT3 Chip |
| 文件大小 |
83.11 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
| 中文名稱(chēng) | 英飛凌 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-7 8:20:00 |
| 人工找貨 | SIGC84T120R3價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SIGC84T120R3規(guī)格書(shū)詳情
SIGC84T120R3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的SIGC84T120R3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
SIGC84T120R3LEX1SA7
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
TrenchStop?
- 包裝：
管件
- IGBT 類(lèi)型：
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，75A
- 輸入類(lèi)型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 描述：
IGBT 1200V 75A DIE
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ANADIGCS |
24+ |
500000 |
行業(yè)低價(jià),代理渠道 |
詢價(jià) | |||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
AD |
QFN |
23+ |
8000 |
終端免費(fèi)提供樣品 可開(kāi)13%增值稅發(fā)票 |
詢價(jià) | ||
SIGE |
2008 |
QFP |
7500 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
ANADIGCS |
2138+ |
BGA |
8960 |
專(zhuān)營(yíng)BGA,QFP原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
N/A |
15000 |
英飛凌MOS管、IGBT大量有貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
45000 |
十年專(zhuān)營(yíng)原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | |||
ADI/亞德諾 |
22+ |
66900 |
原封裝 |
詢價(jià) | |||
SERCEL |
23+ |
QFP |
3000 |
一級(jí)代理原廠VIP渠道,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、 |
詢價(jià) | ||
SIGE |
25+ |
QFN |
6500 |
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) |
