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SIDR610EP中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SIDR610EP
廠商型號

SIDR610EP

功能描述

N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET

文件大小

184.1 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-23 23:00:00

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SIDR610EP規(guī)格書詳情

FEATURES

? TrenchFET? technology optimizes balance of

RDS(on), Qg, Qsw, and Qoss

? Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

? Top side cooling feature provides additional

venue for thermal transfer

? 100 Rg and UIS tested

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Fixed telecom

? DC/DC converter

? Primary and secondary side switch

? Synchronous rectification

? Power supplies

? Class D amplifier

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
VISHAY(威世)
24+
PowerPAKSO8DC
7350
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國產(chǎn)
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Vishay / Siliconix
2025+
SOIC-8
56303
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Vishay
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Trans MOSFET N-CH 60V 42.8A 8-Pin PowerPAK SO-DC E
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VISHAY/威世
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24+
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