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SIA910EDJ-T1-GE3

Dual N-Channel 12-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIC631CD-T1-GE3

TI/德州儀器
WQFN16

TI/德州儀器

相關(guān)企業(yè)：深圳市得捷芯城科技有限公司

TI/德州儀器

SIC9532CSF

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SOP7

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SIC

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SIA910EDJ-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 12V 4.5A/4.5A N-CH DUAL MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多SIA910EDJ-T1-GE3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 10:12:00

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