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SIA400EDJ-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
SIA400EDJ-T1-GE3 |
| 功能描述 | N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| 文件大小 |
224.62 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
| 企業(yè)簡稱 |
VISHAY【威世科技】 |
| 中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) | VISHAY |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-5 23:01:00 |
| 人工找貨 | SIA400EDJ-T1-GE3價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SIA400EDJ-T1-GE3規(guī)格書詳情
FEATURES
? TrenchFET? Power MOSFET
? New Thermally Enhanced PowerPAK? SC-70 Package
??? - Small Footprint Area
? Typical ESD Performance 2500 V HBM
? 100 Rg and UIS Tested
? Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912
APPLICATIONS
? Load Switch, OVP Switch
? Boost Converters
? DC/DC Converters
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SIA400EDJ-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 30V 12A 19.2W 19mOhms @ 4.5V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
22855 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
DFN2020-8S |
20300 |
VISHAY/威世原裝特價(jià)SiA400EDJ-T1-GE3即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
PowerPAKSC-70 |
100586 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
2511 |
DFN2020-6 |
360000 |
電子元器件采購降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價(jià) |
詢價(jià) | ||
VBsemi |
2124+ |
QFN |
15000 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
QFN-6 |
3800 |
大批量供應(yīng)優(yōu)勢庫存熱賣 |
詢價(jià) | ||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價(jià) | ||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
詢價(jià) | |||
CCSEMI/芯能圓 |
23+ |
QFN2X2-6 |
50000 |
原裝正品 支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
DFN2*2 |
502706 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) |
