SI9410DY中文資料科信電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
SI9410DY規(guī)格書詳情
■ Features
● VDS (V) = 30V
● ID = 7 A (VGS = 10V)
● RDS(ON) ＜ 30mΩ (VGS = 10V)
● RDS(ON) ＜ 40mΩ (VGS = 5V)
● RDS(ON) ＜ 50mΩ (VGS = 4.5V)
產(chǎn)品屬性
- 型號：
SI9410DY
- 功能描述：
MOSFET 30V N-Ch FET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
2249+ |
62205 |
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詢價 | |||
VIHSAY/SILICONIX |
24+ |
SOP-8 |
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SILICONIX |
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2024+ |
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PHI |
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SOP-8 |
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SILICONIX |
23+ |
SOP |
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