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SI8823EDB_V01中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SI8823EDB_V01
廠商型號(hào)

SI8823EDB_V01

功能描述

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件大小

148.47 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
VISHAY
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-1 23:00:00

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SI8823EDB_V01規(guī)格書詳情

FEATURES

? TrenchFET? Gen III p-channel power MOSFET

? Compact 0.8 mm x 0.8 mm outline area

? Low 0.4 mm max. profile

? RDS(on) rating at VGS = -1.5 V

? Typical ESD protection: 1900 V HBM

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Load switch

? Power management in batteryoperated,

mobile, and wearable

devices

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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