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SI7960DP-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SI7960DP-T1-GE3
廠商型號(hào)

SI7960DP-T1-GE3

功能描述

Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件大小

521.13 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
VISHAY
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-2 15:50:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SI7960DP-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET Dual N-Ch 60V 21mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Vishay(威世)
23+
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11800
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VISHAY
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VISHAY/威世
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Vishay Siliconix
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VISHAY
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VISHAY/威世
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VISHAY/威世通
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原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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Vishay(威世)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品
詢價(jià)