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SI7884BDP-T1-E3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
產(chǎn)品屬性
- 型號:
SI7884BDP-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 40V 58A 46W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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VISHAY |
23+ |
QFN8 |
8560 |
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詢價 | ||
VISHAY/威世 |
2223+ |
QFN |
26800 |
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詢價 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
詢價 | |||
VISHAY/威世 |
23+ |
QFN |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
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VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
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詢價 | ||
VISHAY/威世 |
2023+ |
QFN |
6895 |
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VISHAY |
2021+ |
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VISHAY |
24+ |
QFN8 |
20000 |
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VISHAY |
POWERPAKS |
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VISHAY |
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QFN-8 |
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