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SI7846DP-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
產(chǎn)品屬性
- 型號：
SI7846DP-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 150V 6.7A 5.2W 50mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
1246 |
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詢價 | ||
VISHAY/威世 |
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QFN8 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
QFN |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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QFN |
990000 |
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VISHAY |
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QFN |
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VISHAY/威世 |
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QFN8 |
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VISHAY/威世 |
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Vishay(威世) |
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VISHAY/威世 |
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