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SI7794DP-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SI7794DP-T1-GE3
廠商型號(hào)

SI7794DP-T1-GE3

功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

文件大小

511.35 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-6 13:12:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SI7794DP-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30 Volts 60 Amps 48 Watts

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
VISHAY
22+23+
PAKSO8
8000
新到現(xiàn)貨,只做原裝進(jìn)口
詢價(jià)
VISHAY
23+
PAKSO8
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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VISHAY
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SI
23+
QFN1212-8
11200
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO
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VISHAY/威世原裝特價(jià)SI7794DP-T1-GE3即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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VISHAY/威世
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PAKSO8
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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NK/南科功率
2025+
DFN5060
986966
國產(chǎn)
詢價(jià)
VISHAY
2020+
QFN8
74
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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