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SI7772DP-T1-GE3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI7772DP-T1-GE3

nullN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    SI7772DP-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 35.6A 29.8W 13mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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21+
VFDFPN8
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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Vishay(威世)
2021/2022+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
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原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
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更多SI7772DP-T1-GE3供應(yīng)商 更新時間2025-4-17 16:34:00