Si7450DP數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF

廠商型號 |
Si7450DP |
參數(shù)屬性 | Si7450DP 包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET |
功能描述 | N-Channel 200 V (D-S) MOSFET |
制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
中文名稱 | 威世科技 威世科技半導(dǎo)體 |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-24 23:01:00 |
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Si7450DP規(guī)格書詳情
簡介
Si7450DP屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由制造生產(chǎn)的Si7450DP晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號:
SI7450DP-T1-RE3
- 制造商:
Vishay Siliconix
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
- 包裝:
管件
- 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):
3.2A(Ta),19.8A(Tc)
- 描述:
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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Vishay(威世) |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
7498 |
原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫存,交期快。價(jià)格優(yōu),支持賬期 |
詢價(jià) | ||
Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
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VISHAY |
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VISHAY |
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VISHAY |
24+ |
QFN8 |
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VISHAY |
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VISHAY/威世 |
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SI7450DP |
2923 |
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VISHAY/威世 |
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QFN8 |
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