SI7450DP分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
SI7450DP |
| 參數(shù)屬性 | SI7450DP 包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET |
| 功能描述 | N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
| 文件大小 |
198.76 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | VISHAY Vishay Siliconix |
| 中文名稱 | 威世科技 威世科技半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-9 23:01:00 |
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SI7450DP規(guī)格書詳情
SI7450DP屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由威世科技半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的SI7450DP晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
SI7450DP-T1-RE3
- 制造商：
Vishay Siliconix
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 包裝：
管件
- 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：
3.2A（Ta），19.8A（Tc）
- 描述：
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
7498 |
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Vishay(威世) |
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原廠原裝 |
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