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SI7120ADN-T1-GE3規(guī)格書詳情
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
? TrenchFET? Power MOSFET
? 100 Rg Tested
? 100 UIS Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Primary Side Switch
? Synchronous Rectification
產(chǎn)品屬性
- 型號：
SI7120ADN-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET N-CH 60V 1212-8 PPAK
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
TrenchFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
PAK1212-8 |
20300 |
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詢價 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
QFN |
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詢價 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
QFN |
880000 |
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Vishay(威世) |
23+ |
NA |
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VISHAY |
10+ |
QFN |
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Vishay |
22+ |
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原裝正品現(xiàn)貨 |
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VISHAY/威世 |
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QFN |
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VISHAY/威世 |
24+ |
DFN3*3 |
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Vishay(威世) |
24+ |
PowerPAK? 1212-8 |
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VISHAY/威世 |
新年份 |
DFN3*3 |
33288 |
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