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SI7112DN-T1-GE3

VISHAY
QFN8

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

相關(guān)企業(yè):深圳市富芯拓展電子有限公司

SI7112DN-T1-GE3

VISHAY
QFN8

TFUNKVishay Telefunken

威世威世(VISHAY)集團(tuán)

相關(guān)企業(yè):深圳市富芯拓展電子有限公司

SI7112DN-T1-GE3

VISHAY
QFN8

BARRY

Vishay Barry

相關(guān)企業(yè):深圳市富芯拓展電子有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    SI7112DN-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VISHAY/威世
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更多SI7112DN-T1-GE3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-25 17:49:00