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首頁(yè)>SI7101DN-T1-GE3>芯片詳情

SI7101DN-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET -30V 7.2mOhm@10V -35A P-Ch G-III航潤(rùn)創(chuàng)能二部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    SI7101DN-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    VISHAY/威世

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    12000

  • 產(chǎn)品封裝：

    PowerPAK-1212-8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    熱賣(mài)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-23 14:02:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠(chǎng)料號(hào)：SI7101DN-T1-GE3品牌：VISHAY/威世

只做原裝

  • 芯片型號(hào)：

    SI7101DN-T1-GE3

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱(chēng)：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    13 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    593.56 kb

  • 資料說(shuō)明：

    P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI7101DN-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET -30V 7.2mOhm@10V -35A P-Ch G-III

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 晶體管極性：

    P-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    - 30 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    - 35 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.0072 Ohms

  • 配置：

    Dual Dual Drain

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerPak-1212-8

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機(jī)：

    19520636341

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    19520636341

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)深南中路2068號(hào)華能大廈2303

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