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SI5902BDC-T1-GE3

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SI5902BDC-T1-GE3

Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SI5902BDC-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 4.0A 3.12W

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VBSEMI
19+
ECH8
28627
詢價
VISHAY(威世)
24+
ChipFET1206-8
9908
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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23+
ECH8
27000
原裝正品,假一罰十
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只做原裝公司現(xiàn)貨
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
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24+
500000
行業(yè)低價,代理渠道
 詢價
更多SI5902BDC-T1-GE3供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 16:06:00

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