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SI5517DU-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI5517DU-T1-GE3
廠商型號

SI5517DU-T1-GE3

功能描述

N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件大小

226.72 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-16 20:22:00

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SI5517DU-T1-GE3規(guī)格書詳情

FEATURES

? TrenchFET? power MOSFETs

? Thermally enhanced PowerPAK ChipFET

package

- Small footprint area

- Low on-resistance

- Thin 0.8 mm profile

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Complementary MOSFET

for portable devices

- Ideal for buck-boost

circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SI5517DU-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39/72mohm @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
SILI
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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