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SI5855DC-T1-E3

vishay
1206-8

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

相關(guān)企業(yè):深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

SI6423DQ-T1-GE3

VISHAY
NA

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

相關(guān)企業(yè):深圳市品優(yōu)時代科技有限公司

SI7006-A20-IM1R

SILICON
DFN

SILICON

相關(guān)企業(yè):深圳市上美通科技有限公司

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SI7020-A20-GM1R

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相關(guān)企業(yè):深圳市上美通科技有限公司

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SI7053-A20-IMR

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QFN

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相關(guān)企業(yè):深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司

SILICON

詳細參數(shù)

  • 型號:

    SI5511DC-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET N/P-CH 30V 1206-8

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    TrenchFET®

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標準包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個 N 溝道(雙) FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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